Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Filozofickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Vysoce nepřizpůsobené bezdislokační SiGe/Si heterostruktury
Autoři

ISA F. SALVALAGLIO M. DASILVA YAR. MEDUŇA Mojmír BARGET M. JUNG A. KREILIGER T. CANO I RUIZ Gisella ERNI R. PEZZOLI F. BONERA E. NIEDERMANN P. GRONING P. MONTALENTI F. VON KAENEL Hans

Rok publikování 2016
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj ADVANCED MATERIALS
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201504029/abstract
Doi http://dx.doi.org/10.1002/adma.201504029
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova heteroepitaxy; heterostructures; strain relaxation; SiGe; substrate patterning
Popis Bezdislokační nepřizpůsobené heterostruktury na Si substrítech jsou vyrobeny novou strategií. Relaxace pnutí je navrženo tak že je elastické spíše než plastické, kombinací vhodného vzorkovaného substrátu a vertikálním růstem krystaslů s gradovaným složením.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.